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感應(yīng)加熱發(fā)展歷史

查看：1153 　發(fā)稿日期：2016-01-13 19:25:17

1．感應(yīng)加熱發(fā)展歷史
感應(yīng)加熱來(lái)源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象，也就是交變的電流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。長(zhǎng)期以來(lái)，技術(shù)人員都對(duì)這一現(xiàn)象有較好了解，并且在各種場(chǎng)合盡量抑止這種發(fā)熱現(xiàn)象，來(lái)減小損耗。比較常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源中的變壓器設(shè)計(jì)，通常設(shè)計(jì)人員會(huì)用各種方法來(lái)減小渦流損耗，來(lái)提高效率。然而在19世紀(jì)末期，技術(shù)人員又發(fā)現(xiàn)這一現(xiàn)象的有利面，就是可以將之利用到加熱場(chǎng)合。來(lái)取代一些傳統(tǒng)的加熱方法，因?yàn)楦袘?yīng)加熱有以下優(yōu)點(diǎn)：
（1）       非接觸式加熱，熱源和受熱物件可以不直接接觸
（2）       加熱效率高，速度快，可以減小表面氧化現(xiàn)象
（3）       容易控制溫度，提高加工精度
（4）       可實(shí)現(xiàn)局部加熱
（5）       可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制
（6）       可減小占地，熱輻射，噪聲和灰塵
（7）       能量傳輸集中,升溫極快,并可在一個(gè)大型的系統(tǒng)上進(jìn)行局部加熱。
由于感應(yīng)加熱具有以上的一些優(yōu)點(diǎn)，大量的工程技術(shù)人員對(duì)此進(jìn)行了研究，1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了第一臺(tái)感應(yīng)熔煉爐――開(kāi)槽式有芯爐，1916年美國(guó)人發(fā)明了閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。而后，20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，極大的促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。
1957年，美國(guó)研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開(kāi)始。同時(shí)，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開(kāi)始飛速發(fā)展。
80年代后，電力電子器件再次飛速發(fā)展，GTO，MOSFET，IGBT，MCT，SIT等器件相繼出現(xiàn)。感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開(kāi)始采用這些新器件�，F(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場(chǎng)合，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道，國(guó)外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過(guò)1000KW，頻率超過(guò)50K。而MOSFET較合適高頻場(chǎng)合，通常在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合，頻率可達(dá)到500K以上，甚至幾M。然而國(guó)外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國(guó)研制的2000KW/400KHz的裝置。
2．感應(yīng)加熱應(yīng)用場(chǎng)合
感應(yīng)加熱可以用于多種場(chǎng)合，主要有：
（1）       冶金：有色金屬的冶煉，金屬材料的熱處理,鍛造、擠壓、軋制等型材生產(chǎn)的偷熱；焊管生產(chǎn)的焊縫。
（2）       機(jī)械制造：各種機(jī)械零件的淬火，以及淬火后的回火、退火和正火等熱處理的加熱。壓力加工前的透熱。
（3）       輕工：罐頭以及其它包裝的封口，比如著名的利樂(lè)磚的封口包裝。
（4）       電子：電子管真空除氣的加熱
（5）       電子及信息工業(yè)中新型的電子器件,構(gòu)件的精密焊接
（6）       航天航空工業(yè)中特殊材料及零件的改性處理
（7）       橋梁,建筑行業(yè)中予應(yīng)力件的制造

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